Справочник MOSFET. IXZ2210N50L

 

IXZ2210N50L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXZ2210N50L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 940 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: SMD-6
 

 Аналог (замена) для IXZ2210N50L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXZ2210N50L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  ixys
 ixz2210n50l.pdf pdf_icon

IXZ2210N50L

IXZ210N50L & IXZ2210N50L RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET VDSS = 500 V Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process ID25 = 10 A Optimized for Linear Operation Ideal for Class AB & C, Broadcast & Communications Applications 150V (operating) Note: All data is per the IXZ210N50L single ended device unless otherwise noted. 300 & 550 Watts Symbol Tes

Другие MOSFET... IXZR16N60A , IXZR08N120B , IXZR08N120A , IXZH10N50LB , IXZH10N50LA , IXZ318N50 , IXZ316N60 , IXZ308N120 , STP80NF70 , IXZ210N50L , IXUN350N10 , IXUC200N055 , IXUC100N055 , IXTY90N055T2 , IXTY8N65X2 , IXTY4N65X2 , IXTY2N65X2 .

History: CHM9936AJGP | IPS80R750P7 | RJK0659DPA | UT60T03 | LSB60R030HT | 2N65KL-TND-R | RTF010P02

 

 
Back to Top

 


 
.