IXZ2210N50L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXZ2210N50L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 940 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: SMD-6

Аналог (замена) для IXZ2210N50L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXZ2210N50L даташит

 ..1. Size:247K  ixys
 ixz2210n50l.pdf pdf_icon

IXZ2210N50L

IXZ210N50L & IXZ2210N50L RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET VDSS = 500 V Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process ID25 = 10 A Optimized for Linear Operation Ideal for Class AB & C, Broadcast & Communications Applications 150V (operating) Note All data is per the IXZ210N50L single ended device unless otherwise noted. 300 & 550 Watts Symbol Tes

Другие IGBT... IXZR16N60A, IXZR08N120B, IXZR08N120A, IXZH10N50LB, IXZH10N50LA, IXZ318N50, IXZ316N60, IXZ308N120, 10N65, IXZ210N50L, IXUN350N10, IXUC200N055, IXUC100N055, IXTY90N055T2, IXTY8N65X2, IXTY4N65X2, IXTY2N65X2