Справочник MOSFET. IXUC100N055

 

IXUC100N055 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXUC100N055
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXUC100N055 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:539K  ixys
 ixuc100n055.pdf pdf_icon

IXUC100N055

ADVANCE TECHNICAL INFORMATIONTrench Power MOSFET IXUC100N055 VDSS = 55 VISOPLUS220TM ID25 = 100 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on)= 7.7 mISOPLUS 220TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C55 VGDVGS Continuous 20 VSIsolated back surface*ID25 TC = 25C; Note 1 100 AG = Gate, D = Drain,ID90 TC = 90C, Note 1 8

 9.1. Size:511K  ixys
 ixuc160n075.pdf pdf_icon

IXUC100N055

ADVANCED TECHNICAL INFORMATIONTrench Power MOSFET IXUC160N075 VDSS = 75 VISOPLUS220TM ID25 = 160 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on)= 6.5 mISOPLUS 220TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C75 VDSIsolated back surface*VGS Continuous 20 VID25 TC = 25C; Note 1 160 A G = Gate, D = Drain,S = SourceID90 TC = 90

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: FTP06N65 | OSG95R750FF | IAUC100N10S5N040 | STU601S | WMM15N70C4 | SQ3418EV | MS8N50

 

 
Back to Top

 


 
.