Справочник MOSFET. IXUC100N055

 

IXUC100N055 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXUC100N055
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS-220
 

 Аналог (замена) для IXUC100N055

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXUC100N055 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:539K  ixys
 ixuc100n055.pdf pdf_icon

IXUC100N055

ADVANCE TECHNICAL INFORMATIONTrench Power MOSFET IXUC100N055 VDSS = 55 VISOPLUS220TM ID25 = 100 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on)= 7.7 mISOPLUS 220TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C55 VGDVGS Continuous 20 VSIsolated back surface*ID25 TC = 25C; Note 1 100 AG = Gate, D = Drain,ID90 TC = 90C, Note 1 8

 9.1. Size:511K  ixys
 ixuc160n075.pdf pdf_icon

IXUC100N055

ADVANCED TECHNICAL INFORMATIONTrench Power MOSFET IXUC160N075 VDSS = 75 VISOPLUS220TM ID25 = 160 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on)= 6.5 mISOPLUS 220TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C75 VDSIsolated back surface*VGS Continuous 20 VID25 TC = 25C; Note 1 160 A G = Gate, D = Drain,S = SourceID90 TC = 90

Другие MOSFET... IXZH10N50LA , IXZ318N50 , IXZ316N60 , IXZ308N120 , IXZ2210N50L , IXZ210N50L , IXUN350N10 , IXUC200N055 , 7N60 , IXTY90N055T2 , IXTY8N65X2 , IXTY4N65X2 , IXTY2N65X2 , IXTY1R4N120P , IXTY1N120P , IXTX210P10T , IXTX20N150 .

History: HY3403B | FTA14N50C | 30N06G-TF1-T | SUD50P04-09L | AOB1606L | BSF035NE2LQ | AO3418

 

 
Back to Top

 


 
.