Справочник MOSFET. IRFP231

 

IRFP231 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFP231
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для IRFP231

 

 

IRFP231 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:104K  international rectifier
 irfp23n50l.pdf

IRFP231 IRFP231

PD - 94230SMPS MOSFETIRFP23N50LHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) typ. Trr typ. ID Switch Mode Power Supply (SMPS)500V 0.190 170ns 23A UninterruptIble Power Supply High Speed Power Switching Motor DriveBenefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and

 8.2. Size:186K  samsung
 irfp230-233 irf630-633.pdf

IRFP231 IRFP231

 8.3. Size:188K  vishay
 irfp23n50l sihfp23n50l.pdf

IRFP231 IRFP231

IRFP23N50L, SiHFP23N50LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 500External Diodes in ZVS ApplicationsAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.190 Lower Gate Charge Results in Simpler DriveRoHS*Qg (Max.) (nC) 150COMPLIANTRequirementsQgs (nC) 44 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

 8.4. Size:192K  vishay
 irfp23n50l irfp23n50lpbf sihfp23n50l.pdf

IRFP231 IRFP231

IRFP23N50L, SiHFP23N50LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Superfast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 500External Diodes in ZVS ApplicationsAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.190 Lower Gate Charge Results in Simpler DriveRoHS*Qg (Max.) (nC) 150COMPLIANTRequirementsQgs (nC) 44 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

 8.5. Size:400K  inchange semiconductor
 irfp23n50l.pdf

IRFP231 IRFP231

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFP23N50LFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) =0.235 (MAX)Enhancement mode:Vth = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VA

Другие MOSFET... IRFP150A , IRFP150FI , IRFP150N , IRFP151 , IRFP152 , IRFP153 , IRFP22N50A , IRFP230 , IRF9640 , IRFP232 , IRFP233 , APT50M38JLL , IRFP240 , IRFP240A , IRFP240FI , IRFP241 , IRFP242 .

 

 
Back to Top