Справочник MOSFET. IXTT6N150

 

IXTT6N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTT6N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-268
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT6N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  ixys
 ixtt6n150.pdf pdf_icon

IXTT6N150

High Voltage VDSS = 1500VIXTT6N150ID25 = 6APower MOSFETsIXTH6N150 RDS(on) 3.5 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-268 (IXTT)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VVGSS Continuous 20 VTO-247 (IXTH)VGSM Transient

 7.1. Size:588K  ixys
 ixth6n120 ixtt6n120.pdf pdf_icon

IXTT6N150

IXTH 6N120 VDSS = 1200 VHigh VoltageIXTT 6N120 ID25 = 6 APower MOSFET RDS(on) = 2.6 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedPreliminary Data SheetTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VVGS Continuous 20 V(TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C6 A

 9.1. Size:169K  ixys
 ixtq69n30p ixtt69n30p.pdf pdf_icon

IXTT6N150

IXTQ69N30P VDSS = 300 VPolarHTTMIXTT69N30P ID25 = 69 APower MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25 C69 A(TAB)

 9.2. Size:171K  ixys
 ixtq64n25p ixtt64n25p.pdf pdf_icon

IXTT6N150

VDSS = 250 VIXTQ 64N25PPolarHTTMID25 = 64 AIXTT 64N25PPower MOSFET RDS(on) 49 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 250 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGDID25 TC = 25 C64 A(TAB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTY1R4N120P , IXTY1N120P , IXTX210P10T , IXTX20N150 , IXTX120P20T , IXTX120N65X2 , IXTX102N65X2 , IXTV230N085TS , STP65NF06 , IXTT4N150HV , IXTT3N200P3HV , IXTT2N300P3HV , IXTT2N170D2 , IXTT1N450HV , IXTT1N300P3HV , IXTT1N250HV , IXTT140P10T .

History: APT60M80JVR | RU1HL8L | TSM4946DCS | KRF7703 | UPA1770 | IXTH10N60 | FQD2N60TF

 

 
Back to Top

 


 
.