Справочник MOSFET. IXTT4N150HV

 

IXTT4N150HV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTT4N150HV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO-268HV
 

 Аналог (замена) для IXTT4N150HV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT4N150HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  ixys
 ixtt4n150hv.pdf pdf_icon

IXTT4N150HV

High Voltage VDSS = 1500VIXTA4N150HVID25 = 4APower MOSFETsIXTT4N150HV RDS(on) 6 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-263HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VD (Tab)VGSS Continuous 30 VVGSM Trans

Другие MOSFET... IXTY1N120P , IXTX210P10T , IXTX20N150 , IXTX120P20T , IXTX120N65X2 , IXTX102N65X2 , IXTV230N085TS , IXTT6N150 , NCEP15T14 , IXTT3N200P3HV , IXTT2N300P3HV , IXTT2N170D2 , IXTT1N450HV , IXTT1N300P3HV , IXTT1N250HV , IXTT140P10T , IXTT12N150HV .

History: CEP85N75 | AUIRLB3036 | FTK2102 | SSM6P36FE

 

 
Back to Top

 


 
.