Справочник MOSFET. IXTT1N300P3HV

 

IXTT1N300P3HV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTT1N300P3HV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 3000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
   Тип корпуса: TO-268HV

 Аналог (замена) для IXTT1N300P3HV

 

 

IXTT1N300P3HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  ixys
 ixth1n300p3hv ixtt1n300p3hv.pdf

IXTT1N300P3HV IXTT1N300P3HV

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSS = 3000VIXTT1N300P3HVPower MOSFETID25 = 1.00AIXTH1N300P3HV RDS(on) 50 N-Channel Enhancement ModeTO-268HV (IXTT)GS D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 3000 VTO-247HV (IXTH)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 3000 VVGSS

 8.1. Size:155K  ixys
 ixtt1n450hv.pdf

IXTT1N300P3HV IXTT1N300P3HV

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTT1N450HVPower MOSFETID25 = 1A RDS(on) 85 N-Channel Enhancement ModeTO-268 (IXTT)GSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 4500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VG = Gate D = DrainS = Source Tab = DrainVGSS Continuous 20 VVGSM

 8.2. Size:73K  ixys
 ixth1n100 ixtt1n100.pdf

IXTT1N300P3HV IXTT1N300P3HV

Advance Technical InformationVDSS = 1000 VIXTH 1N100High Voltage MOSFETID25 = 1.5 AIXTT 1N100 RDS(on) = 11 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Energy RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC

 8.3. Size:152K  ixys
 ixtt1n250hv.pdf

IXTT1N300P3HV IXTT1N300P3HV

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 2500VIXTT1N250HVID25 = 1.5APower MOSFET RDS(on) 40 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-268SGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 2500 VG = Gate D = DrainS = Source Tab = DrainVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 2500 VVGSS Contin

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top