IXTP160N085T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTP160N085T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 360 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 85 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 160 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 164 nC
Время нарастания (tr): 61 ns
Выходная емкость (Cd): 927 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для IXTP160N085T
IXTP160N085T Datasheet (PDF)
ixtp160n085t.pdf
Advance Technical InformationIXTQ 160N085T VDSS = 85 VTrench GateIXTA 160N085T ID25 = 160 APower MOSFETIXTP 160N085T RDS(on) = 6.0 mN-Channel Enhancement ModeTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C85 VGVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 85 VD(TAB)SVGSM 20 VTO-220 (IXTP)ID25 TC = 25C 160 AIDRM
ixta160n075t ixtp160n075t.pdf
Preliminary Technical InformationIXTA160N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTP160N075T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 6.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VGVGSM Transient 20 V S D (TAB)ID25 TC = 25C 16
ixta160n04t2 ixtp160n04t2.pdf
Preliminary Technical InformationIXTA160N04T2 VDSS = 40VTrenchT2TMIXTP160N04T2 ID25 = 160APower MOSFET RDS(on) 5m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C40 VSVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 40 V(TAB)VGSM Transient 20 VTO-220 (IXTP)ID25 TC
ixta160n10t ixtp160n10t.pdf
Preliminary Technical InformationIXTA160N10T VDSS = 100 VTrenchMVTMIXTP160N10T ID25 = 160 APower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VTO-220 (IXTP)VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 100 VVGSM Transient 30 V
Другие MOSFET... IXTP2N95A , IXTP2N95 , IXTP2N65X2 , IXTP2N100A , IXTP270N04T4 , IXTP20N65XM , IXTP20N65X , IXTP180N055T , STP80NF70 , IXTP12N65X2 , IXTN210P10T , IXTN120P20T , IXTN102N65X2 , IXTM7N50A , IXTM7N50 , IXTM7N45A , IXTM7N45 .
