Справочник MOSFET. IXTM4N50

 

IXTM4N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTM4N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IXTM4N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM4N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  ixys
 ixtm4n45 ixtm4n45a ixtm4n50 ixtm4n50a ixtp4n45 ixtp4n45a ixtp4n50 ixtp4n50a.pdf pdf_icon

IXTM4N50

 8.1. Size:66K  ixys
 ixtm4n100 ixtm4n100a ixtm4n95 ixtm4n95a ixtp4n100 ixtp4n100a ixtp4n95 ixtp4n95a.pdf pdf_icon

IXTM4N50

 8.2. Size:64K  ixys
 ixtm4n80 ixtm4n80a ixtm4n90 ixtm4n90a ixtp4n80 ixtp4n80a ixtp4n90 ixtp4n90a.pdf pdf_icon

IXTM4N50

 9.1. Size:107K  ixys
 ixth35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf pdf_icon

IXTM4N50

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH 35N30 300 V 35 A 0.10 IXTH 40N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Tra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTM6N60 , IXTM4N95A , IXTM4N95 , IXTM4N90A , IXTM4N90 , IXTM4N80A , IXTM4N80 , IXTM4N50A , IRFZ24N , IXTM4N45A , IXTM4N45 , IXTM4N100A , IXTM4N100 , IXTM3N90A , IXTM3N90 , IXTM3N80A , IXTM3N80 .

History: BRD7N65 | 40N10K | 2SK2329S | CMUDM7004 | SI4484EY | NCE6020AL | AP3989R

 

 
Back to Top

 


 
.