IXTM4N100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTM4N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IXTM4N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM4N100 даташит

 ..1. Size:66K  ixys
 ixtm4n100 ixtm4n100a ixtm4n95 ixtm4n95a ixtp4n100 ixtp4n100a ixtp4n95 ixtp4n95a.pdf pdf_icon

IXTM4N100

 8.1. Size:64K  ixys
 ixtm4n45 ixtm4n45a ixtm4n50 ixtm4n50a ixtp4n45 ixtp4n45a ixtp4n50 ixtp4n50a.pdf pdf_icon

IXTM4N100

 8.2. Size:64K  ixys
 ixtm4n80 ixtm4n80a ixtm4n90 ixtm4n90a ixtp4n80 ixtp4n80a ixtp4n90 ixtp4n90a.pdf pdf_icon

IXTM4N100

 9.1. Size:107K  ixys
 ixth35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf pdf_icon

IXTM4N100

VDSS ID25 RDS(on) MegaMOSTMFET IXTH 35N30 300 V 35 A 0.10 IXTH 40N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Tra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTM4N90, IXTM4N80A, IXTM4N80, IXTM4N50A, IXTM4N50, IXTM4N45A, IXTM4N45, IXTM4N100A, IRFP250, IXTM3N90A, IXTM3N90, IXTM3N80A, IXTM3N80, IXTM2N95A, IXTM2N95, IXTM2N100A, IXTM2N100