Справочник MOSFET. IXTM10N60A

 

IXTM10N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTM10N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IXTM10N60A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM10N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  ixys
 ixth10n60 ixth10n60a ixtm10n60 ixtm10n60a.pdf pdf_icon

IXTM10N60A

 7.1. Size:105K  ixys
 ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf pdf_icon

IXTM10N60A

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 10N

 7.2. Size:299K  ixys
 ixth10n90 ixtm10n90 ixth12n90 ixtm12n90.pdf pdf_icon

IXTM10N60A

 9.1. Size:316K  ixys
 ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTM10N60A

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTM2N95 , IXTM2N100A , IXTM2N100 , IXTM15N50A , IXTM15N45A , IXTM12N50 , IXTM12N45A , IXTM12N45 , IRF830 , IXTM10N60 , IXTL2X240N055T , IXTL2X220N075T , IXTL2X200N085T , IXTL2X180N10T , IXTL2N450 , IXTK210P10T , IXTK20N150 .

History: CEP85N75 | 2SK2826 | SSM6P36FE | HM60N03D | FTK2102 | BUK9618-55A

 

 
Back to Top

 


 
.