Справочник MOSFET. IXTM10N60

 

IXTM10N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTM10N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM10N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  ixys
ixth10n60 ixth10n60a ixtm10n60 ixtm10n60a.pdfpdf_icon

IXTM10N60

 7.1. Size:105K  ixys
ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdfpdf_icon

IXTM10N60

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 10N

 7.2. Size:299K  ixys
ixth10n90 ixtm10n90 ixth12n90 ixtm12n90.pdfpdf_icon

IXTM10N60

 9.1. Size:316K  ixys
ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdfpdf_icon

IXTM10N60

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: RF1K49211 | 2SK1940 | IPD50R280CE | ZXMP6A17KTC | ISP80N08S2L | NDT6N70 | IRLZ34N

 

 
Back to Top

 


 
.