Справочник MOSFET. IXTL2X240N055T

 

IXTL2X240N055T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTL2X240N055T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
   Тип корпуса: I5-PAK
 

 Аналог (замена) для IXTL2X240N055T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTL2X240N055T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  ixys
ixtl2x240n055t.pdfpdf_icon

IXTL2X240N055T

Advance Technical InformationIXTL2x240N055T VDSS =55 VTrenchMVTMID25 = 2x140 APower MOSFETs RDS(on) 4.4 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated RG RGISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RG

 7.1. Size:66K  ixys
ixtl2x220n075t.pdfpdf_icon

IXTL2X240N055T

Advance Technical InformationTrenchMVTM IXTL2x220N075T VDSS = 75 VID25 = 2x120 APower MOSFETs RDS(on) 5.5 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGAvalanche RatedISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; R

 7.2. Size:66K  ixys
ixtl2x200n085t.pdfpdf_icon

IXTL2X240N055T

Advance Technical InformationTrenchMVTMIXTL2x200N085TVDSS = 85 VID25 = 2x112 APower MOSFETs RDS(on) 6.0 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGAvalanche RatedISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C85 VVDGR TJ = 25C to 175C;

 8.1. Size:66K  ixys
ixtl2x180n10t.pdfpdf_icon

IXTL2X240N055T

Advance Technical InformationTrenchMVTMIXTL2x180N10TVDSS = 100 VID25 = 2x100 APower MOSFETs RDS(on) 7.4 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGISOPLUS i5-PakTM (IXTL)Avalanche RatedS G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175

Другие MOSFET... IXTM2N100 , IXTM15N50A , IXTM15N45A , IXTM12N50 , IXTM12N45A , IXTM12N45 , IXTM10N60A , IXTM10N60 , AO3401 , IXTL2X220N075T , IXTL2X200N085T , IXTL2X180N10T , IXTL2N450 , IXTK210P10T , IXTK20N150 , IXTK120P20T , IXTK120N65X2 .

History: 2SK2360 | AON6538 | IPB70N10S3-12 | TPCA8060-H | CES2362 | IXTT26N50P | IRF3808LPBF

 

 
Back to Top

 


 
.