IXTL2X200N085T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXTL2X200N085T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 112 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1040 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: I5-PAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IXTL2X200N085T Datasheet (PDF)
ixtl2x200n085t.pdf

Advance Technical InformationTrenchMVTMIXTL2x200N085TVDSS = 85 VID25 = 2x112 APower MOSFETs RDS(on) 6.0 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGAvalanche RatedISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C85 VVDGR TJ = 25C to 175C;
ixtl2x240n055t.pdf

Advance Technical InformationIXTL2x240N055T VDSS =55 VTrenchMVTMID25 = 2x140 APower MOSFETs RDS(on) 4.4 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated RG RGISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RG
ixtl2x220n075t.pdf

Advance Technical InformationTrenchMVTM IXTL2x220N075T VDSS = 75 VID25 = 2x120 APower MOSFETs RDS(on) 5.5 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGAvalanche RatedISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; R
ixtl2x180n10t.pdf

Advance Technical InformationTrenchMVTMIXTL2x180N10TVDSS = 100 VID25 = 2x100 APower MOSFETs RDS(on) 7.4 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGISOPLUS i5-PakTM (IXTL)Avalanche RatedS G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: HUFA76619D3ST | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | PNMTO600V8 | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP
History: HUFA76619D3ST | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | PNMTO600V8 | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent