IXTK102N65X2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXTK102N65X2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 102 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO-264P
Аналог (замена) для IXTK102N65X2
IXTK102N65X2 Datasheet (PDF)
ixtk102n65x2 ixtx102n65x2.pdf

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTK102N65X2Power MOSFET ID25 = 102AIXTX102N65X2 RDS(on) 30m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264P (IXTK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS Contin
ixtk102n30p.pdf

VDSS = 300 VIXTK 102N30PPolarHTTMID25 = 102 APower MOSFET RDS(on) 33 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGID25 TC = 25 C 102 A D(TAB)SID(
ixtk102n30p.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IXTK102N30PFEATURESWith To-3PL packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage
ixtk100n25p ixtt100n25p ixtq100n25p.pdf

IXTK 100N25P VDSS = 250 VPolarHTTMIXTQ 100N25P ID25 = 100 APower MOSFET IXTT 100N25P RDS(on) 27 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 250 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 250 VVGSS Continuous 20 VGD (TAB)DSVGSM Transient 30 VID
Другие MOSFET... IXTL2X220N075T , IXTL2X200N085T , IXTL2X180N10T , IXTL2N450 , IXTK210P10T , IXTK20N150 , IXTK120P20T , IXTK120N65X2 , P0903BDG , IXTJ6N150 , IXTJ4N150 , IXTJ3N150 , IXTI76N25T , IXTI12N50P , IXTI10N60P , IXTH80N65X2 , IXTH80N075L2 .
History: PSMN4R5-40PS | ME15N25 | AP65SL190AP | KI2309DS | APT14M120S | IXFH74N20
History: PSMN4R5-40PS | ME15N25 | AP65SL190AP | KI2309DS | APT14M120S | IXFH74N20



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198