Справочник MOSFET. IXTI10N60P

 

IXTI10N60P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTI10N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.74 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для IXTI10N60P

 

 

IXTI10N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  ixys
 ixti10n60p.pdf

IXTI10N60P IXTI10N60P

IXTA 10N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTI 10N60P ID25 = 10 APower MOSFETIXTP 10N60P RDS(on) 740 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 600 VGVGS Continuous Transient 30 VS(TAB)ID25 TC = 25 C10 A

 9.1. Size:157K  ixys
 ixti12n50p.pdf

IXTI10N60P IXTI10N60P

VDSS = 500VPolarTM Power MOSFET IXTA12N50PID25 = 12AIXTI12N50P RDS(on) 500m IXTP12N50PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 500 VS(TAB)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continuous 30 VVGSM Transient 40 V Leaded TO-263 (IXTI)ID25

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top