IXTI10N60P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTI10N60P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.74 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IXTI10N60P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTI10N60P даташит

 ..1. Size:239K  ixys
 ixti10n60p.pdf pdf_icon

IXTI10N60P

IXTA 10N60P VDSS = 600 V PolarHVTM IXTI 10N60P ID25 = 10 A Power MOSFET IXTP 10N60P RDS(on) 740 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 600 V G VGS Continuous Transient 30 V S (TAB) ID25 TC = 25 C10 A

 9.1. Size:157K  ixys
 ixti12n50p.pdf pdf_icon

IXTI10N60P

VDSS = 500V PolarTM Power MOSFET IXTA12N50P ID25 = 12A IXTI12N50P RDS(on) 500m IXTP12N50P N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXTA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V S (TAB) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V VGSS Continuous 30 V VGSM Transient 40 V Leaded TO-263 (IXTI) ID25

Другие IGBT... IXTK120P20T, IXTK120N65X2, IXTK102N65X2, IXTJ6N150, IXTJ4N150, IXTJ3N150, IXTI76N25T, IXTI12N50P, EMB04N03H, IXTH80N65X2, IXTH80N075L2, IXTH64N65X, IXTH64N10L2, IXTH62N65X2, IXTH52N65X, IXTH4N100L, IXTH48N65X2