Справочник MOSFET. IXTH52N65X

 

IXTH52N65X Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH52N65X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 660 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для IXTH52N65X

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH52N65X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  ixys
ixth52n65x.pdfpdf_icon

IXTH52N65X

X-Class VDSS = 650VIXTH52N65XPower MOSFET ID25 = 52A RDS(on) 68m N-Channel Enhancement ModeTO-247 (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VGD TabVGSS Continuous 30 VSVGSM Transient 40 VG = Gate D = DrainID25 TC = 25C52 AS = Source

 8.1. Size:186K  ixys
ixta52p10p ixtp52p10p ixtq52p10p ixth52p10p.pdfpdf_icon

IXTH52N65X

PolarPTM VDSS = - 100VIXTA52P10PID25 = - 52APower MOSFETsIXTP52P10P RDS(on) 50m IXTQ52P10PP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedIXTH52P10PTO-3P (IXTQ)TO-263 AA (IXTA) TO-220AB (IXTP)DGGGSDG SSD (Tab)D D (Tab)S TabSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C -100 VVDGR TJ = 2

 8.2. Size:258K  inchange semiconductor
ixth52p10p.pdfpdf_icon

IXTH52N65X

Isc P-Channel MOSFET Transistor IXTH52P10PFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsMotor contorlDC-DC conventersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

 9.1. Size:187K  ixys
ixth500n04t2 ixtt500n04t2.pdfpdf_icon

IXTH52N65X

Advance Technical InformationTrenchT2TM VDSS = 40VIXTH500N04T2ID25 = 500APower MOSFETIXTT500N04T2 RDS(on) 1.6m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-247 (IXTH)Fast Intrinsic DiodeGDD (Tab)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C40 VVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 40 VTO-268 (IXTT)VGSM T

Другие MOSFET... IXTI76N25T , IXTI12N50P , IXTI10N60P , IXTH80N65X2 , IXTH80N075L2 , IXTH64N65X , IXTH64N10L2 , IXTH62N65X2 , 5N50 , IXTH4N100L , IXTH48N65X2 , IXTH48N15 , IXTH3N200P3HV , IXTH34N65X2 , IXTH32N65X , IXTH2N300P3HV , IXTH2N170D2 .

History: FQD12N20TF | P0460EDA | 2SK2821 | AP70SL380AS | TPD60R330M | IXTH240N15X4 | 2SK1838S

 

 
Back to Top

 


 
.