Справочник MOSFET. IXTH20N65X

 

IXTH20N65X Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH20N65X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1060 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для IXTH20N65X

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH20N65X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  ixys
 ixta20n65x ixth20n65x ixtp20n65x.pdf pdf_icon

IXTH20N65X

Preliminary Technical InformationX-Class VDSS = 650VIXTA20N65XPower MOSFET ID25 = 20AIXTP20N65X RDS(on) 210m IXTH20N65XN-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVG

 6.1. Size:316K  ixys
 ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTH20N65X

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

 6.2. Size:105K  ixys
 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTH20N65X

IXTH 20N60 VDSS = 600 VMegaMOSTMFETIXTM 20N60 ID25 = 20 ARDS(on) = 0.35 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 15N60 15 ATO-204 AE (IXTM)20N60 20 AIDM TC = 25C, p

 8.1. Size:205K  ixys
 ixth200n085t ixtq200n085t.pdf pdf_icon

IXTH20N65X

Preliminary Technical InformationIXTH200N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTQ200N085T ID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 VID25 TC = 25 C 20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTH3N200P3HV , IXTH34N65X2 , IXTH32N65X , IXTH2N300P3HV , IXTH2N170D2 , IXTH2N150L , IXTH2N150 , IXTH270N04T4 , IRFZ44 , IXTH1R8N220P3HV , IXTH1R4N250P3 , IXTH1N450HV , IXTH1N300P3HV , IXTH1N200P3HV , IXTH1N200P3 , IXTH1N170DHV , IXTH15N70 .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.