Справочник MOSFET. IXTH20N65X

 

IXTH20N65X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTH20N65X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1060 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для IXTH20N65X

 

 

IXTH20N65X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  ixys
 ixta20n65x ixth20n65x ixtp20n65x.pdf

IXTH20N65X IXTH20N65X

Preliminary Technical InformationX-Class VDSS = 650VIXTA20N65XPower MOSFET ID25 = 20AIXTP20N65X RDS(on) 210m IXTH20N65XN-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVG

 6.1. Size:316K  ixys
 ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf

IXTH20N65X IXTH20N65X

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

 6.2. Size:105K  ixys
 ixth20n60 ixtm20n60.pdf

IXTH20N65X IXTH20N65X

IXTH 20N60 VDSS = 600 VMegaMOSTMFETIXTM 20N60 ID25 = 20 ARDS(on) = 0.35 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 15N60 15 ATO-204 AE (IXTM)20N60 20 AIDM TC = 25C, p

 8.1. Size:205K  ixys
 ixth200n085t ixtq200n085t.pdf

IXTH20N65X IXTH20N65X

Preliminary Technical InformationIXTH200N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTQ200N085T ID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 VID25 TC = 25 C 20

 8.2. Size:184K  ixys
 ixth200n075t ixtq200n075t.pdf

IXTH20N65X IXTH20N65X

Preliminary Technical InformationIXTH200N075T VDSS = 75 VTrench GateIXTQ200N075T ID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 VID25 TC = 25C 200 AILRMS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top