Справочник MOSFET. IXTH1N300P3HV

 

IXTH1N300P3HV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH1N300P3HV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 3000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
   Тип корпуса: TO-247HV
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH1N300P3HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  ixys
 ixth1n300p3hv ixtt1n300p3hv.pdf pdf_icon

IXTH1N300P3HV

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSS = 3000VIXTT1N300P3HVPower MOSFETID25 = 1.00AIXTH1N300P3HV RDS(on) 50 N-Channel Enhancement ModeTO-268HV (IXTT)GS D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 3000 VTO-247HV (IXTH)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 3000 VVGSS

 8.1. Size:206K  ixys
 ixth1n450hv.pdf pdf_icon

IXTH1N300P3HV

High Voltage VDSS = 4500VIXTT1N450HVPower MOSFETID25 = 1AIXTH1N450HV RDS(on) 80 N-Channel Enhancement ModeTO-268HV (IXTT)GS D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247HV (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 4500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30

 8.2. Size:238K  ixys
 ixta1n170dhv ixth1n170dhv.pdf pdf_icon

IXTH1N300P3HV

Advance Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1700VIXTA1N170DHVMOSFET ID(on) > 1AIXTH1N170DHV RDS(on) 16 N-ChannelTO-263HV (IXTA)GS D (Tab)TO-247HV (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSX TJ = 25C to 150C 1700 VVDGX TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1700 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 V

 8.3. Size:252K  ixys
 ixta1n200p3hv ixth1n200p3 ixth1n200p3hv.pdf pdf_icon

IXTH1N300P3HV

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSS = 2000VIXTA1N200P3HVPower MOSFETID25 = 1.0AIXTH1N200P3HV RDS(on) 40 IXTH1N200P3N-Channel Enhancement ModeTO-263HV (IXTA)GS D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247HV (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 2000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AO4803A | STP5NK60Z

 

 
Back to Top

 


 
.