Справочник MOSFET. IXTH1N200P3HV

 

IXTH1N200P3HV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH1N200P3HV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 2000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 40 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для IXTH1N200P3HV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH1N200P3HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  ixys
 ixta1n200p3hv ixth1n200p3 ixth1n200p3hv.pdf pdf_icon

IXTH1N200P3HV

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSS = 2000VIXTA1N200P3HVPower MOSFETID25 = 1.0AIXTH1N200P3HV RDS(on) 40 IXTH1N200P3N-Channel Enhancement ModeTO-263HV (IXTA)GS D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247HV (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 2000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 8.1. Size:206K  ixys
 ixth1n450hv.pdf pdf_icon

IXTH1N200P3HV

High Voltage VDSS = 4500VIXTT1N450HVPower MOSFETID25 = 1AIXTH1N450HV RDS(on) 80 N-Channel Enhancement ModeTO-268HV (IXTT)GS D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247HV (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 4500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30

 8.2. Size:238K  ixys
 ixta1n170dhv ixth1n170dhv.pdf pdf_icon

IXTH1N200P3HV

Advance Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1700VIXTA1N170DHVMOSFET ID(on) > 1AIXTH1N170DHV RDS(on) 16 N-ChannelTO-263HV (IXTA)GS D (Tab)TO-247HV (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSX TJ = 25C to 150C 1700 VVDGX TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1700 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 V

 8.3. Size:73K  ixys
 ixth1n100 ixtt1n100.pdf pdf_icon

IXTH1N200P3HV

Advance Technical InformationVDSS = 1000 VIXTH 1N100High Voltage MOSFETID25 = 1.5 AIXTT 1N100 RDS(on) = 11 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Energy RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTH2N150L , IXTH2N150 , IXTH270N04T4 , IXTH20N65X , IXTH1R8N220P3HV , IXTH1R4N250P3 , IXTH1N450HV , IXTH1N300P3HV , IRF630 , IXTH1N200P3 , IXTH1N170DHV , IXTH15N70 , IXTH15N50A , IXTH15N45A , IXTH140P10T , IXTH12N65X2 , IXTH12N50 .

History: PSMN4R6-60PS | 2SK2507 | APT30M61BFLLG | HGK023N08S | 2SK1095 | KP748B | FTK2N60I

 

 
Back to Top

 


 
.