IXTH1N200P3HV. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTH1N200P3HV

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 2000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 40 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для IXTH1N200P3HV

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH1N200P3HV даташит

 ..1. Size:252K  ixys
 ixta1n200p3hv ixth1n200p3 ixth1n200p3hv.pdf pdf_icon

IXTH1N200P3HV

Preliminary Technical Information High Voltage VDSS = 2000V IXTA1N200P3HV Power MOSFET ID25 = 1.0A IXTH1N200P3HV RDS(on) 40 IXTH1N200P3 N-Channel Enhancement Mode TO-263HV (IXTA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247HV (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 2000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

 8.1. Size:206K  ixys
 ixth1n450hv.pdf pdf_icon

IXTH1N200P3HV

High Voltage VDSS = 4500V IXTT1N450HV Power MOSFET ID25 = 1A IXTH1N450HV RDS(on) 80 N-Channel Enhancement Mode TO-268HV (IXTT) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247HV (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 4500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 4500 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30

 8.2. Size:238K  ixys
 ixta1n170dhv ixth1n170dhv.pdf pdf_icon

IXTH1N200P3HV

Advance Technical Information Depletion Mode VDSX = 1700V IXTA1N170DHV MOSFET ID(on) > 1A IXTH1N170DHV RDS(on) 16 N-Channel TO-263HV (IXTA) G S D (Tab) TO-247HV (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSX TJ = 25 C to 150 C 1700 V VDGX TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1700 V VGSX Continuous 20 V VGSM Transient 30 V

 8.3. Size:73K  ixys
 ixth1n100 ixtt1n100.pdf pdf_icon

IXTH1N200P3HV

Advance Technical Information VDSS = 1000 V IXTH 1N100 High Voltage MOSFET ID25 = 1.5 A IXTT 1N100 RDS(on) = 11 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Energy Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTH2N150L, IXTH2N150, IXTH270N04T4, IXTH20N65X, IXTH1R8N220P3HV, IXTH1R4N250P3, IXTH1N450HV, IXTH1N300P3HV, IRF640N, IXTH1N200P3, IXTH1N170DHV, IXTH15N70, IXTH15N50A, IXTH15N45A, IXTH140P10T, IXTH12N65X2, IXTH12N50