IXTH15N45A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTH15N45A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для IXTH15N45A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH15N45A даташит

 ..1. Size:65K  ixys
 ixth15n45a ixth15n50a ixtm15n45a ixtm15n50a.pdf pdf_icon

IXTH15N45A

 6.1. Size:681K  1
 ixth12n45ma ixth12n45mb ixth12n50ma ixth12n50mb ixth15n35ma ixth15n35mb ixth15n40ma ixth15n40mb ixtz42n20mb ixtz67n10ma ixtz67n10mb.pdf pdf_icon

IXTH15N45A

 7.1. Size:148K  ixys
 ixth15n70.pdf pdf_icon

IXTH15N45A

IXTH15N70 PCB 24 IXTH 15N70 VDSS = 700 V MegaMOSTMFET ID (cont) = 15 A RDS(on) = 0.45 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25 C to 150 C 700 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 700 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 T

 7.2. Size:316K  ixys
 ixth15n60 ixtm15n60 ixth20n60 ixtm20n60.pdf pdf_icon

IXTH15N45A

Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine Downloaded from DatasheetLib.com - datasheet search engine

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTH1R4N250P3, IXTH1N450HV, IXTH1N300P3HV, IXTH1N200P3HV, IXTH1N200P3, IXTH1N170DHV, IXTH15N70, IXTH15N50A, 10N60, IXTH140P10T, IXTH12N65X2, IXTH12N50, IXTH12N45A, IXTH12N45, IXTH12N150, IXTH10N60A, IXTH10N60