Справочник MOSFET. IXTH05N250P3HV

 

IXTH05N250P3HV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH05N250P3HV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 2500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 110 Ohm
   Тип корпуса: TO-247HV
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH05N250P3HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  ixys
 ixth05n250p3hv.pdf pdf_icon

IXTH05N250P3HV

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 2500VIXTH05N250P3HVPower MOSFETID25 = 0.50A RDS(on) 110 N-Channel Enhancement ModeTO-247HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25C to 150C 2500 V D (Tab)DVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 2500 VVGSS Continuous 20 VG = Gate D = Drai

 9.1. Size:160K  ixys
 ixth04n300p3hv.pdf pdf_icon

IXTH05N250P3HV

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 3000VIXTH04N300P3HVPower MOSFETID25 = 0.40A RDS(on) 190 N-Channel Enhancement ModeTO-247HVSymbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25C to 150C 3000 V D (Tab)DVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 3000 VVGSS Continuous 20 VG = Gate D = Drai

 9.2. Size:194K  ixys
 ixth02n250 ixtv02n250s.pdf pdf_icon

IXTH05N250P3HV

High VoltageIXTH02N250VDSS = 2500VPower MOSFETsID25 = 200mA IXTV02N250S RDS(on) 450 N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXTH)GD D (Tab)SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 2500 VPLUS220SMD (IXTV_S)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 2500 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient

 9.3. Size:208K  ixys
 ixth02n450hv.pdf pdf_icon

IXTH05N250P3HV

High Voltage VDSS = 4500VIXTT02N450HVPower MOSFETID25 = 200mAIXTH02N450HV RDS(on) 625 TO-268HV (IXTT)N-Channel Enhancement ModeGS D (Tab)TO-247HV (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 4500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: TK58A06N1 | STD3NK50ZT4 | STP5NB40 | SFF75N06Z | SFB072N150C2 | IRFR4105ZPBF | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.