IXTA180N055T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTA180N055T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTA180N055T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA180N055T даташит

 ..1. Size:108K  ixys
 ixta180n055t ixtp180n055t ixtq180n055t.pdf pdf_icon

IXTA180N055T

Advance Technical Information IXTQ 180N055T VDSS = 55 V Trench Gate IXTA 180N055T ID25 = 180 A Power MOSFET IXTP 180N055T RDS(on) = 4.0 m N-Channel Enhancement Mode TO-3P (IXTQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V G VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V D (TAB) S VGSM 20 V TO-220 (IXTP) ID25 TC = 25 C 180 A IDRM

 5.1. Size:197K  ixys
 ixta180n085t7.pdf pdf_icon

IXTA180N055T

Preliminary Technical Information VDSS = 85 V IXTA180N085T7 TrenchMVTM ID25 = 180 A Power MOSFET RDS(on) 5.5 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (7-lead) (IXTA..7) VDSS TJ = 25 C to 175 C85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 V VGSM Transient 20 V 1 ID25 TC = 25

 5.2. Size:214K  ixys
 ixta180n085t ixtp180n085t.pdf pdf_icon

IXTA180N055T

Preliminary Technical Information IXTA180N085T VDSS = 85 V TrenchMVTM IXTP180N085T ID25 = 180 A Power MOSFET RDS(on) 5.5 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 V G VGSM Transient 20 V S (TAB) ID25 T

 6.1. Size:197K  ixys
 ixta180n10t7.pdf pdf_icon

IXTA180N055T

PreliminaryTechnical Information VDSS = 100 V IXTA180N10T7 TrenchMVTM ID25 = 180 A Power MOSFET RDS(on) 6.4 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (7-lead) (IXTA..7) VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 V VGSM Transient 30 V 1 ID25 TC = 25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTA3N150HV, IXTA3N120TRL, IXTA3N120HV, IXTA3N100D2HV, IXTA270N04T4, IXTA20N65X, IXTA1N200P3HV, IXTA1N170DHV, IRFB3607, IXTA15N50L2, IXTA130N10T-TRL, IXTA12N65X2, IXTA08N100D2HV, IXTA05N100HV, IXTA02N450HV, IXTA02N250HV, IXTA02N250