IXFT28N50Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFT28N50Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-268

Аналог (замена) для IXFT28N50Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT28N50Q даташит

 ..1. Size:121K  ixys
 ixft28n50q.pdf pdf_icon

IXFT28N50Q

Advanced Technical Information IXFH 28N50Q VDSS = 500 V HiPerFETTM IXFT 28N50Q ID25 = 28 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.20 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500

 9.1. Size:158K  ixys
 ixfh21n50 ixfh24n50 ixfh26n50 ixfm21n50 ixfm24n50 ixfm26n50 ixft24n50 ixft26n50.pdf pdf_icon

IXFT28N50Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM21N50 500 V 21 A 0.25 Power MOSFETs IXFH/IXFM/IXFT24N50 500 V 24 A 0.23 IXFH/IXFT26N50 500 V 26 A 0.20 N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr 250 ns TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to

 9.2. Size:145K  ixys
 ixfh24n50q ixft24n50q ixfh26n50q ixft26n50q.pdf pdf_icon

IXFT28N50Q

HiPerFETTM VDSS ID25 RDS(on) Power MOSFETs IXFH/IXFT 24N50Q 500 V 24 A 0.23 IXFH/IXFT 26N50Q 500 V 26 A 0.20 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1

 9.3. Size:577K  ixys
 ixft23n80q.pdf pdf_icon

IXFT28N50Q

IXFH23N80Q VDSS = 800 V HiPerFETTM IXFT23N80Q ID25 = 23 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.42 Q-Class N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V (TAB) VGS Continuous 30

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFT50N60X, IXFT50N20, IXFT46N30T, IXFT44N50Q3, IXFT40N50Q, IXFT30N60X, IXFT30N60Q, IXFT30N50Q, IRF830, IXFT23N80Q, IXFT23N60Q, IXFT18N100Q3, IXFT17N80Q, IXFT150N20T, IXFT12N100QHV, IXFT120N25T, IXFR80N10Q