Справочник MOSFET. IXFQ20N50P3

 

IXFQ20N50P3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFQ20N50P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P

 Аналог (замена) для IXFQ20N50P3

 

 

IXFQ20N50P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  ixys
ixfa20n50p3 ixfh20n50p3 ixfp20n50p3 ixfq20n50p3.pdf

IXFQ20N50P3
IXFQ20N50P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 500VIXFA20N50P3ID25 = 20APower MOSFETsIXFP20N50P3 RDS(on) 300m IXFQ20N50P3N-Channel Enhancement Mode IXFH20N50P3Avalanche RatedTO-220AB (IXFP)Fast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GGDD (Tab)SSTO-3P (IXFQ)D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ

 9.1. Size:155K  ixys
ixfa26n50p3 ixfh26n50p3 ixfp26n50p3 ixfq26n50p3.pdf

IXFQ20N50P3
IXFQ20N50P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 500VIXFA26N50P3ID25 = 26APower MOSFETsIXFP26N50P3 RDS(on) 230m IXFQ26N50P3N-Channel Enhancement Mode IXFH26N50P3Avalanche RatedTO-220AB (IXFP)Fast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GGDD (Tab)SSTO-3P (IXFQ)D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ

 9.2. Size:155K  ixys
ixfa24n60x ixfh24n60x ixfp24n60x ixfq24n60x.pdf

IXFQ20N50P3
IXFQ20N50P3

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA24N60XPower MOSFET ID25 = 24AIXFP24N60X RDS(on) 175m IXFQ24N60XIXFH24N60XN-Channel Enhancement ModeTO-220AB (IXFP)Avalanche RatedTO-263 AA (IXFA)Fast Intrinsic DiodeGGDD (Tab)SSTO-3P (IXFQ)D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ

 9.3. Size:130K  ixys
ixfq28n60p3 ixfh28n60p3.pdf

IXFQ20N50P3
IXFQ20N50P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 600VIXFQ28N60P3ID25 = 28APower MOSFETsIXFH28N60P3 RDS(on) 260m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-3P (IXFQ)GDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSTabVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 600 VTO-247 ( IX

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: MSQ94P33

 

 
Back to Top