IXFP4N60P3 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFP4N60P3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFP4N60P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для IXFP4N60P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFP4N60P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  ixys
 ixfa4n60p3 ixfp4n60p3 ixfy4n60p3.pdf pdf_icon

IXFP4N60P3

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFY4N60P3Power MOSFETs ID25 = 4AIXFA4N60P3 RDS(on) 2.2 IXFP4N60P3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXFY)Fast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 V TO-263 AA (IXFA)VDGR TJ = 25C to 150C, RG

Другие MOSFET... IXFQ30N60X , IXFQ26N50P3 , IXFQ24N60X , IXFQ20N50P3 , IXFP8N50P3 , IXFP7N60P3 , IXFP5N50P3 , IXFP5N100PM , IRF1404 , IXFP36N30P3 , IXFP30N60X , IXFP26N50P3 , IXFP24N60X , IXFP22N65X2 , IXFP20N50P3M , IXFP20N50P3 , IXFP18N60X .

History: NP40N055NLE | PJS6832 | DMN62D0LFB | IPD65R600E6 | NCE6020A | NCE70T680I | NCE70T900R

 

 
Back to Top

 


 
.