Справочник MOSFET. IXFL210N30P3

 

IXFL210N30P3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFL210N30P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 268 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS264

 Аналог (замена) для IXFL210N30P3

 

 

IXFL210N30P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  ixys
 ixfl210n30p3.pdf

IXFL210N30P3 IXFL210N30P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFL210N30P3Power MOSFET ID25 = 108A RDS(on) 16m (Electrically Isolated Tab)trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS264Fast Intrinsic RectifierSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGVDGR TJ = 25C to

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top