IXFL210N30P3 - описание и поиск аналогов

 

IXFL210N30P3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFL210N30P3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2550 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS264

Аналог (замена) для IXFL210N30P3

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFL210N30P3 даташит

 ..1. Size:148K  ixys
 ixfl210n30p3.pdf pdf_icon

IXFL210N30P3

Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 300V IXFL210N30P3 Power MOSFET ID25 = 108A RDS(on) 16m (Electrically Isolated Tab) trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated ISOPLUS264 Fast Intrinsic Rectifier Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V G VDGR TJ = 25 C to

Другие MOSFET... IXFP16N50P3 , IXFP14N60P3 , IXFN94N50P2 , IXFN55N50F , IXFN40N110Q3 , IXFN260N17T , IXFN210N30P3 , IXFN200N06 , AON7408 , IXFL132N50P3 , IXFK90N60X , IXFK32N90P , IXFK30N50Q , IXFK260N17T , IXFK24N100Q3 , IXFK210N17T , IXFK150N30P3 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.