Справочник MOSFET. IXFL210N30P3

 

IXFL210N30P3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFL210N30P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 520 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 108 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 268 nC
   Время нарастания (tr): 25 ns
   Выходная емкость (Cd): 2550 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS264

 Аналог (замена) для IXFL210N30P3

 

 

IXFL210N30P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  ixys
 ixfl210n30p3.pdf

IXFL210N30P3 IXFL210N30P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFL210N30P3Power MOSFET ID25 = 108A RDS(on) 16m (Electrically Isolated Tab)trr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS264Fast Intrinsic RectifierSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGVDGR TJ = 25C to

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top