IXFJ26N50P3 - описание и поиск аналогов

 

IXFJ26N50P3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFJ26N50P3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для IXFJ26N50P3

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFJ26N50P3 даташит

 ..1. Size:146K  ixys
 ixfj26n50p3.pdf pdf_icon

IXFJ26N50P3

Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 500V IXFJ26N50P3 ID25 = 14A Power MOSFET RDS(on) 265m (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode ISO TO-247TM Avalanche Rated E153432 Fast Intrinsic Rectifier Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D Isolated Tab S VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C

Другие MOSFET... IXFK30N50Q , IXFK260N17T , IXFK24N100Q3 , IXFK210N17T , IXFK150N30P3 , IXFK120N65X2 , IXFK120N30P3 , IXFK100N65X2 , SKD502T , IXFI7N80P , IXFH94N30T , IXFH94N30P3 , IXFH80N65X2 , IXFH7N100P , IXFH76N15T2 , IXFH70N30Q3 , IXFH60N65X2 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.