Справочник MOSFET. IXFJ26N50P3

 

IXFJ26N50P3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFJ26N50P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.265 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для IXFJ26N50P3

 

 

IXFJ26N50P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  ixys
 ixfj26n50p3.pdf

IXFJ26N50P3 IXFJ26N50P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 500VIXFJ26N50P3ID25 = 14APower MOSFET RDS(on) 265m (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeISO TO-247TMAvalanche RatedE153432Fast Intrinsic RectifierSymbol Test Conditions Maximum Ratings GDIsolated TabSVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top