Справочник MOSFET. IXFH60N65X2

 

IXFH60N65X2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IXFH60N65X2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 780 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 107 nC

Время нарастания (tr): 40 ns

Выходная емкость (Cd): 3867 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.052 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для IXFH60N65X2

 

 

IXFH60N65X2 Datasheet (PDF)

1.1. ixfh60n65x2.pdf Size:113K _ixys

IXFH60N65X2
IXFH60N65X2

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFH60N65X2 Power MOSFET ID25 = 60A   RDS(on)    52m     N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-247 Fast Intrinsic Diode G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S D (Tab) VDSS TJ = 25C to 150C 650 V G = Gate D = Drain VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V S =

2.1. ixfh60n60x ixfq60n60x.pdf Size:166K _ixys

IXFH60N65X2
IXFH60N65X2

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFQ60N60X Power MOSFET ID25 = 60A IXFH60N60X   RDS(on)    55m     N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-3P (IXFQ) Fast Intrinsic Diode G D S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 150C 600 V TO-247 (IXFH) VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1

 3.1. ixfh60n25q ixfk60n25q ixft60n25q.pdf Size:71K _ixys

IXFH60N65X2
IXFH60N65X2

Advanced Technical Information IXFH 60N25Q HiPerFETTM VDSS = 250 V IXFK 60N25Q Power MOSFETs ID25 = 60 A IXFT 60N25Q Q-Class RDS(on) = 47 mW trr £ 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25°C to 150°C 250 V VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW 250

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top

 


IXFH60N65X2
  IXFH60N65X2
  IXFH60N65X2
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: WFD5N65L | W15NK90Z | VN1206N5 | TK13A60W | SUP70060E | STP140N6F7 | STH140N6F7 | STD140N6F7 | SIHG47N60AEF | R6018JNX | PSMN3R7-100BSE | P75NF75 | NVD4C05NT4G | NTHL040N65S3F | MTD300N20J3 |
 

 

 

 

 
Back to Top