IXFH34N50P3 - аналоги и даташиты транзистора

 

IXFH34N50P3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXFH34N50P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 695 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для IXFH34N50P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFH34N50P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  ixys
 ixfh34n50p3 ixfq34n50p3.pdf pdf_icon

IXFH34N50P3

Preliminary Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 500VIXFQ34N50P3ID25 = 34APower MOSFETsIXFH34N50P3 RDS(on) 170m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-3P (IXFQ)GDSymbol Test Conditions Maximum RatingsSTabVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VTO-247

 7.1. Size:282K  ixys
 ixfp34n65x2 ixfh34n65x2.pdf pdf_icon

IXFH34N50P3

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFP34N65X2Power MOSFET ID25 = 34AIXFH34N65X2 RDS(on) 100m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220(IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 150C 650 VSD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VTO-247VGSS Continuous 30 V(IXFH)VGSM Transien

 7.2. Size:205K  ixys
 ixfa34n65x2 ixfp34n65x2 ixfh34n65x2.pdf pdf_icon

IXFH34N50P3

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA34N65X2Power MOSFET ID25 = 34AIXFP34N65X2 RDS(on) 100m IXFH34N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGS

 7.3. Size:212K  inchange semiconductor
 ixfh34n65x2.pdf pdf_icon

IXFH34N50P3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFH34N65X2FEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFH70N30Q3 , IXFH60N65X2 , IXFH60N60X , IXFH50N60X , IXFH46N65X2 , IXFH46N30T , IXFH44N50Q3 , IXFH34N65X2 , 13N50 , IXFH30N60X , IXFH30N50Q , IXFH26N50P3 , IXFH24N60X , IXFH22N65X2 , IXFH20N50P3 , IXFH18N60X , IXFH18N100Q3 .

History: IXFH30N50Q | AOTF7S65

 

 
Back to Top

 


 
.