IPZ60R040C7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPZ60R040C7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO-247-4
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IPZ60R040C7 Datasheet (PDF)
ipz60r040c7.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R040C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R040C7PG-TO 247-41 DescriptionCoolMOS C7 is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle a
ipz60r070p6.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS P6600V CoolMOS P6 Power TransistorIPZ60R070P6Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS P6 Power TransistorIPZ60R070P6PG-TO 247-41 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and
ipz60r099c7.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R099C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R099C7PG-TO 247-41 DescriptionCoolMOS C7 is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle a
ipz60r060c7.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R060C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS C7 Power TransistorIPZ60R060C7PG-TO 247-41 DescriptionCoolMOS C7 is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle a
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IXFC80N10 | FDW254P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381