Справочник MOSFET. IPU60R600C6

 

IPU60R600C6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPU60R600C6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU60R600C6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1034K  infineon
ipu60r600c6.pdfpdf_icon

IPU60R600C6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPU60R600C6 Data SheetRev. 2.1FinalIndustrial & Multimarket600V CoolMOS C6 Power TransistorIPU60R600C6IPAK1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpionee

 ..2. Size:599K  inchange semiconductor
ipu60r600c6.pdfpdf_icon

IPU60R600C6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPU60R600C6FEATURESDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSLow On-Resistance: R = 600m(Max)DS(on)100% Avalanche TestedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 8.1. Size:2232K  infineon
ipd60r2k1ce ipu60r2k1ce.pdfpdf_icon

IPU60R600C6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE600V CoolMOS CE Power TransistorIPx60R2K1CEData SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS CE Power TransistorIPD60R2K1CE, IPU60R2K1CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunctio

 8.2. Size:2314K  infineon
ipd60r1k0ce ipu60r1k0ce.pdfpdf_icon

IPU60R600C6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE600V CoolMOS CE Power TransistorIPx60R1K0CEData SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS CE Power TransistorIPD60R1K0CE, IPU60R1K0CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunctio

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NTMFS6B14N | SPN12T20

 

 
Back to Top

 


 
.