IPU50R950CE - аналоги и даташиты транзистора

 

IPU50R950CE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPU50R950CE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для IPU50R950CE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU50R950CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2499K  infineon
 ipd50r950ce ipu50r950ce.pdf pdf_icon

IPU50R950CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPx50R950CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R950CE, IPU50R950CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunctio

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 ipu50r950ce.pdf pdf_icon

IPU50R950CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPU50R950CEFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 8.1. Size:1624K  1
 ipd50r1k4ce ipu50r1k4ce 50s1k4ce.pdf pdf_icon

IPU50R950CE

IPD50R1K4CE, IPU50R1K4CEMOSFETDPAK IPAK500V CoolMOS CE Power TransistortabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and2pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a 11233price-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer an

 8.2. Size:2508K  infineon
 ipd50r2k0ce ipu50r2k0ce.pdf pdf_icon

IPU50R950CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPx50R2K0CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R2K0CE, IPU50R2K0CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunctio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPU80R1K0CE , IPU60R950C6 , IPU60R600C6 , IPU60R2K1CE , IPU60R2K0C6 , IPU60R1K5CE , IPU60R1K4C6 , IPU60R1K0CE , 13N50 , IPU50R3K0CE , IPU50R2K0CE , IPU50R1K4CE , IPU13N03LAG , IPU06N03LAG , IPT059N15N3 , IPT020N10N3 , IPT015N10N5 .

History: IRLS3813 | SQV120N10-3M8 | IXTA160N04T2 | AON6792 | FS100KMJ-03F | FML20N50ES | FS10AS-2

 

 
Back to Top

 


 
.