IPU50R2K0CE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPU50R2K0CE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для IPU50R2K0CE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU50R2K0CE даташит

 ..1. Size:2508K  infineon
ipd50r2k0ce ipu50r2k0ce.pdfpdf_icon

IPU50R2K0CE

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 500V CoolMOS CE Power Transistor IPx50R2K0CE Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket 500V CoolMOS CE Power Transistor IPD50R2K0CE, IPU50R2K0CE DPAK IPAK 1 Description tab tab CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunctio

 ..2. Size:260K  inchange semiconductor
ipu50r2k0ce.pdfpdf_icon

IPU50R2K0CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPU50R2K0CE FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

 8.1. Size:1624K  1
ipd50r1k4ce ipu50r1k4ce 50s1k4ce.pdfpdf_icon

IPU50R2K0CE

IPD50R1K4CE, IPU50R1K4CE MOSFET DPAK IPAK 500V CoolMOS CE Power Transistor tab tab CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and 2 pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a 1 1 2 3 3 price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer an

 8.2. Size:2499K  infineon
ipd50r950ce ipu50r950ce.pdfpdf_icon

IPU50R2K0CE

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 500V CoolMOS CE Power Transistor IPx50R950CE Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket 500V CoolMOS CE Power Transistor IPD50R950CE, IPU50R950CE DPAK IPAK 1 Description tab tab CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunctio

Другие IGBT... IPU60R600C6, IPU60R2K1CE, IPU60R2K0C6, IPU60R1K5CE, IPU60R1K4C6, IPU60R1K0CE, IPU50R950CE, IPU50R3K0CE, 12N60, IPU50R1K4CE, IPU13N03LAG, IPU06N03LAG, IPT059N15N3, IPT020N10N3, IPT015N10N5, IPT012N08N5, IPT007N06N