Справочник MOSFET. IPT012N08N5

 

IPT012N08N5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPT012N08N5
   Маркировка: 012N08N5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 178 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
   Тип корпуса: HSOF-8-1
 

 Аналог (замена) для IPT012N08N5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPT012N08N5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1178K  infineon
ipt012n08n5.pdfpdf_icon

IPT012N08N5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 VIPT012N08N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 VIPT012N08N5HSOF1 DescriptionFeaturesTab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resista

 6.1. Size:634K  infineon
ipt012n06n.pdfpdf_icon

IPT012N08N5

IPT012N06NMOSFETHSOFOptiMOSTM Power-Transistor, 60 VFeaturesTab 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel1 Qualified according to JEDEC1) for target applications 2345 Pb-free lead plating; RoHS compliant678 Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Applica

 9.1. Size:1186K  infineon
ipt015n10n5.pdfpdf_icon

IPT012N08N5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 VIPT015N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 VIPT015N10N5HSOF1 DescriptionFeaturesTab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resis

 9.2. Size:674K  infineon
ipt019n08n5.pdfpdf_icon

IPT012N08N5

IPT019N08N5MOSFETHSOFOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 VFeaturesTab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)1 N-channel, normal level 2345 100% avalanche tested678 Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product vali

Другие MOSFET... IPU50R3K0CE , IPU50R2K0CE , IPU50R1K4CE , IPU13N03LAG , IPU06N03LAG , IPT059N15N3 , IPT020N10N3 , IPT015N10N5 , IRFP450 , IPT007N06N , IPT004N03L , IPS65R950C6 , IPS65R1K5CE , IPS65R1K4C6 , IPS65R1K0CE , IPS090N03L , IPS075N03L .

History: 2SK2675 | SDF9N100GAF-D | 2N6768JTXV | KP101G | FDY300NZ | IRFU310 | SDF9230JAB

 

 
Back to Top

 


 
.