Справочник MOSFET. IPT004N03L

 

IPT004N03L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPT004N03L
   Маркировка: 004N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 122 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0004 Ohm
   Тип корпуса: HSOF-8-1
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPT004N03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1208K  infineon
 ipt004n03l.pdf pdf_icon

IPT004N03L

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-MOSFET, 30 VIPT004N03LData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-MOSFET, 30 VIPT004N03LHSOF1 DescriptionFeaturesTab Optimized for e-fuse and ORing application Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% avalanche tested1 Superior th

 9.1. Size:1194K  infineon
 ipt007n06n.pdf pdf_icon

IPT004N03L

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-Transistor, 60 VIPT007N06NData SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-Transistor, 60 VIPT007N06NHSOF1 DescriptionFeaturesTab 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel1 Qualified according to JEDEC 1) for target applications

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.