IPS060N03L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPS060N03L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для IPS060N03L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS060N03L даташит

 ..1. Size:1017K  infineon
 ips060n03l.pdf pdf_icon

IPS060N03L

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@ %>E Features D S !4EF EI

 ..2. Size:634K  infineon
 ipd060n03l ipf060n03l ips060n03l ipu060n03l.pdf pdf_icon

IPS060N03L

Type IPD060N03L G IPF060N03L G IPS060N03L G IPU060N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 6 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low

 0.1. Size:523K  infineon
 ipd060n03lg ipf060n03lg ips060n03lg ipu060n03lg.pdf pdf_icon

IPS060N03L

Type IPD060N03L G IPF060N03L G IPS060N03L G IPU060N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 6 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very lo

 9.1. Size:420K  infineon
 ipd06n03la ipf06n03la ips06n03la ipu06n03la.pdf pdf_icon

IPS060N03L

IPD06N03LA IPF06N03LA IPS06N03LA IPU06N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 5.7 m DS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target application I 50 A D N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance 175 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPT007N06N, IPT004N03L, IPS65R950C6, IPS65R1K5CE, IPS65R1K4C6, IPS65R1K0CE, IPS090N03L, IPS075N03L, IRF1407, IPS050N03L, IPS040N03L, IPS031N03L, IPP65R660CFDA, IPP65R420CFD, IPP65R310CFDA, IPP65R310CFD, IPP65R225C7