IPP09N03LA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPP09N03LA
Маркировка: 09N03LA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 63 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 88 ns
Выходная емкость (Cd): 530 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0089 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для IPP09N03LA
IPP09N03LA Datasheet (PDF)
ipb09n03la ipi09n03la ipp09n03la.pdf
IPB09N03LAIPI09N03LA, IPP09N03LAOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD version) 8.9m DS(on),max N-channelI 50 AD Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)P-TO263-3-2 P-TO262-3-1 P-TO220-3-1 Superior thermal resistance 1
ipb090n06n3g ipp093n06n3g.pdf
pe IPB090N06N3 G IPP093N06N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P 6?A BH>3 A53C96931C9?> 4A9E5B 1>4 43 43 ,&),R m , ?> =1G ,& P G35
ipp096n03l.pdf
pe %% # ! % # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*-m - @? >2H Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BCD1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= =@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @"- 4@>A=:2?DQ "2=@86? 7B66 244@B
ipp096n03l .pdf
pe %% # ! % # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*-m - @? >2H Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BCD1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= =@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @"- 4@>A=:2?DQ "2=@86? 7B66 244@B
ipb090n06n3 ipp093n06n3.pdf
Type IPB090N06N3 G IPP093N06N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 60 VDS for sync. rectification, drives and dc/dc SMPSR 9mDS(on),max (SMD) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 50 AD Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level Avalanche rated Qualified according to JEDEC1) for target applications
ipb096n03lg ipp096n03lg.pdf
pe %% # ! % # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*-m - @? >2H Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BCD1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= =@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H D n) AB@5E4D ) ' Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @"- 4@>A=:2?DQ "2=@86? 7B66 244@B5:?
ipp093n06n3 ipb093n06n3.pdf
pe IPB090N06N3 G IPP093N06N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P 6?A BH>3 A53C96931C9?> 4A9E5B 1>4 43 43 ,&),R m , ?> =1G ,& P G35
ipp093n06n3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPP093N06N3IIPP093N06N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 9mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
