IPP09N03LA. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPP09N03LA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для IPP09N03LA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPP09N03LA даташит
ipb09n03la ipi09n03la ipp09n03la.pdf
IPB09N03LA IPI09N03LA, IPP09N03LA OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 8.9 m DS(on),max N-channel I 50 A D Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) P-TO263-3-2 P-TO262-3-1 P-TO220-3-1 Superior thermal resistance 1
ipb090n06n3g ipp093n06n3g.pdf
pe IPB090N06N3 G IPP093N06N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V D P 6?A BH>3 A53C96931C9?> 4A9E5B 1>4 43 43 ,&), R m , ?> =1G ,& P G35
ipp096n03l.pdf
pe %% # ! % # ! % (>.;?6?@ %>E Features D Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- m - @? >2H Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC D 1) Q + E2= 7 65 244@B5 ?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C Q ( 492??6= =@8 4 =6F6= Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n) Q /6BI =@G @? B6C CD2?46 D n) Q F2=2?496 B2D65 Q *3 7B66 A=2D ?8 , @"- 4@>A= 2?D Q "2=@86? 7B66 244@B
ipp096n03l .pdf
pe %% # ! % # ! % (>.;?6?@ %>E Features D Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- m - @? >2H Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC D 1) Q + E2= 7 65 244@B5 ?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C Q ( 492??6= =@8 4 =6F6= Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n) Q /6BI =@G @? B6C CD2?46 D n) Q F2=2?496 B2D65 Q *3 7B66 A=2D ?8 , @"- 4@>A= 2?D Q "2=@86? 7B66 244@B
Другие IGBT... IPP25N06S3-25, IPP220N25NFD, IPP14N03LA, IPP147N03L, IPP120N20NFD, IPP110N20NA, IPP100N06S3L-04, IPP100N06S3L-03, IRF1404, IPP096N03L, IPP083N10N5, IPP080N03L, IPP060N06N, IPP055N03L, IPP052N08N5, IPP04CN10N, IPP042N03L
History: APT30M70BVR
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70







