Справочник MOSFET. IPP037N08N3GE8181

 

IPP037N08N3GE8181 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP037N08N3GE8181
   Маркировка: 037N08N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 117 nC
   trⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1640 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP037N08N3GE8181 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1018K  infineon
 ipp037n08n3ge8181 ipp037n08n3g ipi037n08n3g ipb035n08n3g.pdf pdf_icon

IPP037N08N3GE8181

IPP037N08N3 G IPI037N08N3 GIPB035N08N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D Q #4513I CG9D389>7 1>4 CI>3 B53 R m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCI 1 DQ H3579>55B9>7 3?45 Q .5BI B5C9CD1>35 +D n)#) ' ' !Q ' 381>>5?B=1

 2.1. Size:494K  infineon
 ipp037n08n3g ipi037n08n3g ipb035n08n3g.pdf pdf_icon

IPP037N08N3GE8181

IPP037N08N3 G IPI037N08N3 GIPB035N08N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 80 VDS Ideal for high frequency switching and sync. rec.R 3.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 100 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested

 3.1. Size:246K  inchange semiconductor
 ipp037n08n3.pdf pdf_icon

IPP037N08N3GE8181

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP037N08N3IIPP037N08N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.75mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.