IRFP3703PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFP3703PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3060 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: TO247AC
Аналог (замена) для IRFP3703PBF
IRFP3703PBF Datasheet (PDF)
irfp3703pbf.pdf

PD - 95481SMPS MOSFETIRFP3703PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl Synchronous Rectification 30V 0.0028 210Al Active ORingl Lead-FreeBenefitsl Ultra Low On-Resistancel Low Gate Impedance to Reduce SwitchingLossesl Fully Avalanche RatedTO-247ACAbsolute Maximum RatingsParameter Max. UnitsID @ TC = 25C Continuous Drain Current, VGS @ 1
irfp3703.pdf

PD - 93917AIRFP3703SMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID Synchronous Rectification 30V 0.0028 210A Active ORingBenefits Ultra Low On-Resistance Low Gate Impedance to Reduce SwitchingLosses Fully Avalanche RatedTO-247ACAbsolute Maximum RatingsParameter Max. UnitsID @ TC = 25C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 210 ID @ TC = 100
irfp3703.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3703IIRFP3703FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)2.8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous RectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 30 V
irfp3710pbf.pdf

PD - 95053AIRFP3710PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating Temperature VDSS = 100Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.025Gl Lead-FreeDescription ID = 57ASFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per sili
Другие MOSFET... IRFP350PBF , IRFP350R , IRFP351R , IRFP352R , IRFP353R , IRFP354PBF , IRFP360PBF , IRFP362 , IRF530 , IRFP3710PBF , IPL65R725CFD , IPL65R660E6 , IPL65R650C6S , IPL65R460CFD , IPL65R420E6 , IPL65R340CFD , IPL65R310E6 .
History: WMO090NV6HG4 | SW2N60D | FCH041N60F | ME04N25-G | WMO08N70C4 | WMN15N65C4 | B4N65
History: WMO090NV6HG4 | SW2N60D | FCH041N60F | ME04N25-G | WMO08N70C4 | WMN15N65C4 | B4N65



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555