IRFP3703PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFP3703PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 210 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 209 nC
trⓘ - Время нарастания: 123 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3060 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: TO247AC
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRFP3703PBF Datasheet (PDF)
irfp3703pbf.pdf

PD - 95481SMPS MOSFETIRFP3703PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl Synchronous Rectification 30V 0.0028 210Al Active ORingl Lead-FreeBenefitsl Ultra Low On-Resistancel Low Gate Impedance to Reduce SwitchingLossesl Fully Avalanche RatedTO-247ACAbsolute Maximum RatingsParameter Max. UnitsID @ TC = 25C Continuous Drain Current, VGS @ 1
irfp3703.pdf

PD - 93917AIRFP3703SMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID Synchronous Rectification 30V 0.0028 210A Active ORingBenefits Ultra Low On-Resistance Low Gate Impedance to Reduce SwitchingLosses Fully Avalanche RatedTO-247ACAbsolute Maximum RatingsParameter Max. UnitsID @ TC = 25C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 210 ID @ TC = 100
irfp3703.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3703IIRFP3703FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)2.8mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSynchronous RectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 30 V
irfp3710pbf.pdf

PD - 95053AIRFP3710PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating Temperature VDSS = 100Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.025Gl Lead-FreeDescription ID = 57ASFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per sili
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IRFEA240 | 2N65KL-TND-R | FQB70N08 | TPP60R240M | AOTF11C60
History: IRFEA240 | 2N65KL-TND-R | FQB70N08 | TPP60R240M | AOTF11C60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555