IRFP3710PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFP3710PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 59 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO247AC
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRFP3710PBF Datasheet (PDF)
irfp3710pbf.pdf

PD - 95053AIRFP3710PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Dynamic dv/dt RatingDl 175C Operating Temperature VDSS = 100Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.025Gl Lead-FreeDescription ID = 57ASFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per sili
irfp3710.pdf

PD-91490CIRFP3710HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 100V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.025W Fully Avalanche RatedGID = 57ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefit
irfp3710.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP3710IIRFP3710FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)25mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingFully Avalanche RatedABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source
irfp3703pbf.pdf

PD - 95481SMPS MOSFETIRFP3703PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl Synchronous Rectification 30V 0.0028 210Al Active ORingl Lead-FreeBenefitsl Ultra Low On-Resistancel Low Gate Impedance to Reduce SwitchingLossesl Fully Avalanche RatedTO-247ACAbsolute Maximum RatingsParameter Max. UnitsID @ TC = 25C Continuous Drain Current, VGS @ 1
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: STB24N60DM2 | IPP60R280P6 | 2SK2531 | 5N50L-TN3-R | UPA1770G | SW1N60C | HAT3019R
History: STB24N60DM2 | IPP60R280P6 | 2SK2531 | 5N50L-TN3-R | UPA1770G | SW1N60C | HAT3019R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a