Справочник MOSFET. IPL65R420E6

 

IPL65R420E6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPL65R420E6
   Маркировка: 65E6420
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: THINPAK8X8
 

 Аналог (замена) для IPL65R420E6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPL65R420E6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1584K  infineon
 ipl65r420e6.pdf pdf_icon

IPL65R420E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS ThinkPAK 8x8650V CoolMOS E6 Power TransistorIPL65R420E6Data SheetRev. 2.1FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS E6 Power TransistorIPL65R420E6ThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle

 7.1. Size:1801K  infineon
 ipl65r460cfd.pdf pdf_icon

IPL65R420E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CFD2 650V Thinpak650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R460CFDData SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R460CFDThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ)

 8.1. Size:1796K  infineon
 ipl65r070c7.pdf pdf_icon

IPL65R420E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R070C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R070C7ThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 8.2. Size:1772K  infineon
 ipl65r725cfd.pdf pdf_icon

IPL65R420E6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CFD2 650V Thinpak650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R725CFDData SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPL65R725CFDThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360PBF , IRFP362 , IRFP3703PBF , IRFP3710PBF , IPL65R725CFD , IPL65R660E6 , IPL65R650C6S , IPL65R460CFD , IRFP250 , IPL65R340CFD , IPL65R310E6 , IPL65R230C7 , IPL65R210CFD , IPL65R1K5C6S , IPL65R1K0C6S , IPL65R195C7 , IPL65R190E6 .

 

 
Back to Top

 


 
.