Справочник MOSFET. IPL65R1K0C6S

 

IPL65R1K0C6S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPL65R1K0C6S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: THINPAK5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPL65R1K0C6S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1322K  infineon
 ipl65r1k0c6s.pdf pdf_icon

IPL65R1K0C6S

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6650V CoolMOS C6 Power TransistorIPL65R1K0C6SData SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C6 Power TransistorIPL65R1K0C6SThinPAK 5x61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle an

 6.1. Size:1337K  infineon
 ipl65r1k5c6s.pdf pdf_icon

IPL65R1K0C6S

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6650V CoolMOS C6 Power TransistorIPL65R1K5C6SData SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C6 Power TransistorIPL65R1K5C6SThinPAK 5x61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle an

 7.1. Size:1769K  infineon
 ipl65r195c7.pdf pdf_icon

IPL65R1K0C6S

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R195C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R195C7ThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 7.2. Size:1601K  infineon
 ipl65r130c7.pdf pdf_icon

IPL65R1K0C6S

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R130C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R130C7ThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK1250 | SI7913DN | ZXMC4A16DN8 | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.