Справочник MOSFET. IPL65R195C7

 

IPL65R195C7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPL65R195C7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.195 Ohm
   Тип корпуса: THINPAK8X8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPL65R195C7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1769K  infineon
 ipl65r195c7.pdf pdf_icon

IPL65R195C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C7650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R195C7Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C7 Power TransistorIPL65R195C7ThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 6.1. Size:1600K  infineon
 ipl65r190e6.pdf pdf_icon

IPL65R195C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS ThinkPAK 8x8650V CoolMOS E6 Power TransistorIPL65R190E6Data SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS E6 Power TransistorIPL65R190E6ThinPAK 8x81 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle

 7.1. Size:1322K  infineon
 ipl65r1k0c6s.pdf pdf_icon

IPL65R195C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6650V CoolMOS C6 Power TransistorIPL65R1K0C6SData SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C6 Power TransistorIPL65R1K0C6SThinPAK 5x61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle an

 7.2. Size:1337K  infineon
 ipl65r1k5c6s.pdf pdf_icon

IPL65R195C7

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6650V CoolMOS C6 Power TransistorIPL65R1K5C6SData SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket650V CoolMOS C6 Power TransistorIPL65R1K5C6SThinPAK 5x61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle an

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SJ498 | RU1C001ZP | SUP85N10-10 | MTB110P10L3 | KTHD3100C | AO6608 | ELM32405LA

 

 
Back to Top

 


 
.