IPL65R190E6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPL65R190E6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: THINPAK8X8

Аналог (замена) для IPL65R190E6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPL65R190E6 даташит

 ..1. Size:1600K  infineon
 ipl65r190e6.pdf pdf_icon

IPL65R190E6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS ThinkPAK 8x8 650V CoolMOS E6 Power Transistor IPL65R190E6 Data Sheet Rev. 2.0 Final Industrial & Multimarket 650V CoolMOS E6 Power Transistor IPL65R190E6 ThinPAK 8x8 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle

 6.1. Size:1769K  infineon
 ipl65r195c7.pdf pdf_icon

IPL65R190E6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C7 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPL65R195C7 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 650V CoolMOS C7 Power Transistor IPL65R195C7 ThinPAK 8x8 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 7.1. Size:1322K  infineon
 ipl65r1k0c6s.pdf pdf_icon

IPL65R190E6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 650V CoolMOS C6 Power Transistor IPL65R1K0C6S Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 650V CoolMOS C6 Power Transistor IPL65R1K0C6S ThinPAK 5x6 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle an

 7.2. Size:1337K  infineon
 ipl65r1k5c6s.pdf pdf_icon

IPL65R190E6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 650V CoolMOS C6 Power Transistor IPL65R1K5C6S Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 650V CoolMOS C6 Power Transistor IPL65R1K5C6S ThinPAK 5x6 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle an

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPL65R420E6, IPL65R340CFD, IPL65R310E6, IPL65R230C7, IPL65R210CFD, IPL65R1K5C6S, IPL65R1K0C6S, IPL65R195C7, IRF1407, IPL65R165CFD, IPL65R130C7, IPL65R099C7, IPL65R070C7, IPL60R650P6S, IPL60R360P6S, IPL60R2K1C6S, IPL60R255P6