Справочник MOSFET. IPI80N06S3-07

 

IPI80N06S3-07 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPI80N06S3-07
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1182 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для IPI80N06S3-07

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI80N06S3-07 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  infineon
 ipi80n06s3-07.pdf pdf_icon

IPI80N06S3-07

IPB80N06S3-07IPI80N06S3-07, IPP80N06S3-07OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 55 VDSR (SMD version) 6.5mDS(on),maxI 80 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche

 5.1. Size:158K  infineon
 ipp80n06s2l-05 ipb80n06s2l-05 ipi80n06s2l-05.pdf pdf_icon

IPI80N06S3-07

IPB80N06S2L-05IPI80N06S2L-05, IPP80N06S2L-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 4.5mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 80 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 PG-TO262-3-1 Green package (lead free) Ultra l

 5.2. Size:132K  infineon
 ipb80n06s2l-11 ipp80n06s2l-11 ipi80n06s2l-11 ipp80n06s2l-11 ipb80n06s2l-11 ipi80n06s2l-11.pdf pdf_icon

IPI80N06S3-07

IPB80N06S2L-11IPP80N06S2L-11, IPI80N06S2L-11OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 10.7mWDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 80 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 PG-TO262-3-1 Green package (lead free) Ultra lo

 5.3. Size:158K  infineon
 ipb80n06s2-08 ipp80n06s2-08 ipi80n06s2-08 ipp80n06s2-08 ipb80n06s2-08 ipi80n06s2-08.pdf pdf_icon

IPI80N06S3-07

IPB80N06S2-08IPP80N06S2-08, IPI80N06S2-08OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 7.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 80 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 PG-TO262-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPL65R070C7 , IPL60R650P6S , IPL60R360P6S , IPL60R2K1C6S , IPL60R255P6 , IPL60R210P6 , IPL60R1K5C6S , IPL60R180P6 , AON6380 , IPI65R420CFD , IPI65R310CFD , IPI65R280E6 , IPI65R190E6 , IPI65R190CFD , IPI65R190C6 , IPI65R150CFD , IPI65R110CFD .

History: WMJ10N105C2 | NCE4606C | KHB9D5N20P | IPL65R1K5C6S | WMM26N60C4 | IRF8707PBF-1 | HY1506B

 

 
Back to Top

 


 
.