IPDH6N03LAG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPDH6N03LAG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IPDH6N03LAG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPDH6N03LAG даташит

 ..1. Size:534K  infineon
 ipdh6n03lag.pdf pdf_icon

IPDH6N03LAG

IPDH6N03LA G IPFH6N03LA G IPSH6N03LA G IPUH6N03LA G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 25 V DS Ideal for high-frequency dc/dc converters R (SMD version) 6 m DS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target application I 50 A D N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance 17

Другие IGBT... IPI084N06L3G, IPI04N03LA, IPI04CN10N, IPI029N06N, IPI020N06N, IPF13N03LAG, IPF135N03LG, IPF050N03LG, AO4407A, IPDH4N03LAG, IPD80R2K8CE, IPD80R1K4CE, IPD80R1K0CE, IPD65R950CFD, IPD65R950C6, IPD65R660CFDA, IPD65R420CFDA