Справочник MOSFET. IPDH6N03LAG

 

IPDH6N03LAG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPDH6N03LAG
   Маркировка: H6N03LA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для IPDH6N03LAG

 

 

IPDH6N03LAG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:534K  infineon
 ipdh6n03lag.pdf

IPDH6N03LAG IPDH6N03LAG

IPDH6N03LA G IPFH6N03LA GIPSH6N03LA G IPUH6N03LA GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD version) 6mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationI 50 AD N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance 17

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top