Справочник MOSFET. IPDH6N03LAG

 

IPDH6N03LAG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPDH6N03LAG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для IPDH6N03LAG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPDH6N03LAG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:534K  infineon
 ipdh6n03lag.pdf pdf_icon

IPDH6N03LAG

IPDH6N03LA G IPFH6N03LA GIPSH6N03LA G IPUH6N03LA GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD version) 6mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationI 50 AD N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance 17

Другие MOSFET... IPI084N06L3G , IPI04N03LA , IPI04CN10N , IPI029N06N , IPI020N06N , IPF13N03LAG , IPF135N03LG , IPF050N03LG , AO3407 , IPDH4N03LAG , IPD80R2K8CE , IPD80R1K4CE , IPD80R1K0CE , IPD65R950CFD , IPD65R950C6 , IPD65R660CFDA , IPD65R420CFDA .

History: SL12N100F | RJK0214DPA | DMG8822UTS | IPAN60R650CE | 2N7640-GA | SML5022BN

 

 
Back to Top

 


 
.