IPD80R2K8CE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD80R2K8CE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IPD80R2K8CE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD80R2K8CE даташит

 ..1. Size:2275K  infineon
 ipd80r2k8ce ipu80r2k8ce.pdf pdf_icon

IPD80R2K8CE

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 800V CoolMOS CE Power Transistor IPx80R2K8CE Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket 800V CoolMOS CE Power Transistor IPD80R2K8CE, IPU80R2K8CE DPAK IPAK 1 Description tab tab CoolMOS CE is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. The high voltage capability combine

 ..2. Size:243K  inchange semiconductor
 ipd80r2k8ce.pdf pdf_icon

IPD80R2K8CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD80R2K8CE,IIPD80R2K8CE FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 2.8 Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage

 6.1. Size:960K  infineon
 ipd80r2k4p7.pdf pdf_icon

IPD80R2K8CE

IPD80R2K4P7 MOSFET DPAK 800V CoolMOS P7 Power Transistor The latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V tab super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon s over 18 years pioneering super junction technology innovation. Features 2 1 Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and

 6.2. Size:964K  infineon
 ipd80r2k0p7.pdf pdf_icon

IPD80R2K8CE

IPD80R2K0P7 MOSFET DPAK 800V CoolMOS P7 Power Transistor The latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V tab super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon s over 18 years pioneering super junction technology innovation. Features 2 1 Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPI04CN10N, IPI029N06N, IPI020N06N, IPF13N03LAG, IPF135N03LG, IPF050N03LG, IPDH6N03LAG, IPDH4N03LAG, IRFP064N, IPD80R1K4CE, IPD80R1K0CE, IPD65R950CFD, IPD65R950C6, IPD65R660CFDA, IPD65R420CFDA, IPD65R420CFD, IPD65R250E6