IPD65R1K4C6 - аналоги и даташиты транзистора

 

IPD65R1K4C6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPD65R1K4C6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для IPD65R1K4C6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD65R1K4C6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1724K  infineon
 ipd65r1k4c6.pdf pdf_icon

IPD65R1K4C6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 650V 650V CoolMOS C6 Power TransistorIPD65R1K4C6Data SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS C6 Power TransistorIPD65R1K4C6DPAK1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andp

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd65r1k4c6.pdf pdf_icon

IPD65R1K4C6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD65R1K4C6,IIPD65R1K4C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)1.4Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingVery high commutation ruggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

 4.1. Size:1133K  infineon
 ipd65r1k4cfd.pdf pdf_icon

IPD65R1K4C6

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CFD2 650V650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPD65R1K4CFDData SheetRev. 2.0Rev. 2.1, 2013-07-31FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPD65R1K4CFDDPAK1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs,designed according to the superjuncti

 4.2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd65r1k4cfd.pdf pdf_icon

IPD65R1K4C6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD65R1K4CFD,IIPD65R1K4CFDFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)1.4Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingVery high commutation ruggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD65R950C6 , IPD65R660CFDA , IPD65R420CFDA , IPD65R420CFD , IPD65R250E6 , IPD65R250C6 , IPD65R225C7 , IPD65R1K4CFD , IRF640 , IPD65R190C7 , IPD60R800CE , IPD60R650CE , IPD60R600P6 , IPD60R460CE , IPD60R400CE , IPD60R380P6 , IPD60R380E6 .

History: RJK0454DPB | BLP05N15-B | 10N70G-TF2-T | BLP02N06L-Q | STU16N60M2 | BLP065N08G-P | BLP02N08-B

 

 
Back to Top

 


 
.