IPD60R400CE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPD60R400CE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для IPD60R400CE
IPD60R400CE Datasheet (PDF)
ipa60r400ce ipd60r400ce.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE600V CoolMOS CE Power TransistorIPx60R400CEData SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS CE Power TransistorIPD60R400CE, IPA60R400CEDPAK TO-220 FP1 DescriptiontabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunctio
ipd60r400ce ips60r400ce ipa60r400ce.pdf

IPD60R400CE, IPS60R400CE, IPA60R400CEMOSFETDPAK IPAK SL PG-TO 220 FP600V CoolMOS CE Power TransistortabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and2pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a 13price-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplica
ipd60r400ce.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD60R400CE,IIPD60R400CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.4Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600 VDSSV
Другие MOSFET... IPD65R225C7 , IPD65R1K4CFD , IPD65R1K4C6 , IPD65R190C7 , IPD60R800CE , IPD60R650CE , IPD60R600P6 , IPD60R460CE , 10N60 , IPD60R380P6 , IPD60R380E6 , IPD60R2K1CE , IPD60R1K5CE , IPD60R1K0CE , IPD50R950CE , IPD50R800CE , IPD50R650CE .
History: NP75N04YUK | SMK0465FJ | SFF75N06-28 | WMB46N03T1 | NP89N04PDK | ME4468-G | SI2301-P
History: NP75N04YUK | SMK0465FJ | SFF75N06-28 | WMB46N03T1 | NP89N04PDK | ME4468-G | SI2301-P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972