Справочник MOSFET. IPD50R650CE

 

IPD50R650CE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD50R650CE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD50R650CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1057K  infineon
 ipd50r650ce.pdf pdf_icon

IPD50R650CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R650CEData SheetRev. 2.0FinalIndustrial & Multimarket500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R650CEDPAK1 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs,designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd50r650ce.pdf pdf_icon

IPD50R650CE

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD50R650CE,IIPD50R650CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)650mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSS

 8.1. Size:1624K  1
 ipd50r1k4ce ipu50r1k4ce 50s1k4ce.pdf pdf_icon

IPD50R650CE

IPD50R1K4CE, IPU50R1K4CEMOSFETDPAK IPAK500V CoolMOS CE Power TransistortabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and2pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a 11233price-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer an

 8.2. Size:2508K  infineon
 ipd50r2k0ce ipu50r2k0ce.pdf pdf_icon

IPD50R650CE

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE500V CoolMOS CE Power TransistorIPx50R2K0CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket500V CoolMOS CE Power TransistorIPD50R2K0CE, IPU50R2K0CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunctio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.